日本Coper Electronics 介紹一種功率半導體熱阻測試儀瞬態熱阻測量儀

更新時間：2024-04-15

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　　介紹一種功率半導體熱阻測試儀。

　　熱阻測量器

瞬態熱阻測試儀系列

　　瞬態熱阻測量儀是測量IGBT/MOS-FET/Diode/BJT等的瞬態熱阻的裝置。

　　BJT瞬態熱阻測量儀是向集電極·發射極間施加指的定的功率，使芯片溫度上升，求出其前后的微小電流(Im)引起的基極·發射極間電壓差(ΔVBE)的裝置。這樣可以推測試料的熱阻。

　　IGBT瞬態熱阻測量儀與BJT瞬態熱阻測量儀一樣，是計算柵極發射極之間電壓差(ΔVGE)的測量儀。

　　P-MOS FET瞬態熱阻測量儀與BJT瞬態熱阻測量儀一樣，是計算柵極和源極之間電壓差(ΔVGS)的測量儀。

　　可以在BJT瞬態熱阻測試儀的基極、發射極之間測量二極管的δVF。

　　◇主要規格

施加電壓	2~30/100/600/1200V
通電電流	0.1至30/100/200/500/1000 a
電力施加寬度	100、200和500μs 1、2、5、10、20、50、100、200、500 ms 1S，2S，30S，DC
測量電流( Im )	1至1~99/199/999mA
測量范圍	ΔVBE: ~999/1999mV (但VBE MAX: 3V ) ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (但VGS/VGE MAX: 20V )
采樣點	Td 50~990μS

　　※熱電阻測量儀有功率限制，電壓、電流施加時間會限制可測量的區域。此外，根據規格的不同，裝置的大小和重量會有很大的變化。上述規格僅為一個例子，設計、制作需要詳細協商。

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